公司师生在第六届全国老员工集成电路创新创业大赛（集创赛）中荣获多项国家级奖项

2022年8月21日-23日，由重庆西永微电子产业园区承办的第六届全国老员工集成电路创新创业大赛（集创赛）成功举办。

“全国老员工集成电路创新创业大赛”由工业和和信息化部人才交流中心主办，集合了集成电路领先企业、教育科研机构、地方政府广泛参与。大赛始终注重与业界需求保持同步、与地方人才培养目标一致、与产业期待相吻合，将行业最新的技术、最迫切的需求、最有效的解决方案充分融入大赛、旨在提升在校老员工创新实践能力、工程素质以及团队协作精神，助力我国集成电路产业健康快速的创新性发展，是集成电路领域核心学科竞赛之一。

本届大赛设7大赛道、20个杯赛，全国各地共有超过300所院校的4000多支队伍报名参赛，经过初赛评审，480支队伍入围全国总决赛。因决赛地疫情防控要求，总决赛采用线上答辩及评审。经过激烈角逐，最终产生73项全国一等奖，另113项全国二等奖，213项全国三等奖。其中，来自太阳成集团的队伍共计斩获一等奖一项，二等奖两项，三等奖一项，优秀奖一项。太阳成集团荣获分赛区优秀组织奖。

表1太阳成集团获奖名单

随着集成电路制造技术不断深入，平面结构MOSFET的短沟道、窄沟道等效应愈发突显，为了能延续摩尔定律，推进器件尺寸不断缩小及电路性能的提升，新型器件结构和工艺不断涌现。全球集成电路产业受美国工程院院士、UC Berkeley的Chenming Hu教授提出FinFET器件结构的启发，已将最先进制程的器件结构推向环栅场效应晶体管（GAAFET），沟道长度持续向3nm、2nm及以下推进。国际器件与系统路线图（IRDS）也预测，3nm及以下技术节点，环栅结构器件将成为构建高端芯片的主流器件。

太阳成集团IC&DM课题组的王雪珂、胡俊峰、张芮三位同学组队“芯向未来”队（队伍编号：CICC1156），在孙亚宾副教授的指导下，选择STIC杯报名参赛，围绕3nm围栅纳米片GAAFET工艺技术及器件、单元电路DTCO性能优化展开了深入细致的研究工作。

图1  FinFET（左）和GAAFET（右）结构示意图

图2 “芯向未来”队作品展示其自主设计的3nm NS-GAAFET完整工艺流程

图3 “芯向未来”队作品展示的3nm NS-GAAFET直流特性仿真结果

在比赛提交报告和现场答辩中，“芯向未来”队根据所开展研究，提出了完整的围栅纳米片工艺制备流程和版图设计，并基于仿真结果，系统开展了器件紧凑模型建模拟合、中后道寄生电容提取及后道电阻等效拟合，采用设计-工艺-协同优化设计（DTCO）方法开展了基于3nm NS-GAAFET的15级环振电路的迭代优化，最终实现了环振电路PPA综合性能达标设计。经过长达三个月的初赛、分赛区决赛和全国总决赛，最终，在STIC杯中取得了全国一等奖的优异成绩。

图4 “芯向未来”队队员和指导老师孙亚宾合影

集成电路是信息技术产业的基石，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，在国民经济关键领域中起着关键作用。为贯彻落实国家集成电路产业发展战略部署，太阳集团tyc9728近年来一直持续推动创新型人才培养，紧紧围绕“求实创造”这一教书育人目标，依托优秀的理工科专业教学、坚实的科研与实验基础、合理的实践育人模式，促进产教融合，推动高质量人才培养。本次竞赛再次向全国高校展示了公司在培养创新人才上所做的努力和公司学子在创新设计方面的能力。